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IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有哪些?

日期:2025-12-16 14:55
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摘要:
  IGBT模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。    
  IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止狀態(tài)下的IGBT,正向電壓由J2結(jié)承擔,反向電壓由J1結(jié)承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平,因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。    
  IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內(nèi),Id與Ugs呈線性關(guān)系。*高柵源電壓受*大漏極電流限制,其*佳值一般取為15V左右。    
  IGBT的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導通態(tài)時,由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu),但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分?!?/span>


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