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IGBT模塊的發(fā)展簡述
日期：2025-12-13 01:23
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摘要：
IGBT是絕緣門極雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文縮寫。它是八十年代末，九十年代初迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高，速度快，熱穩(wěn)定性好，電壓驅(qū)動（MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，克服GTR缺點(diǎn)）；又具有通態(tài)壓降低，可以向高電壓、大電流方向發(fā)展（GTR的優(yōu)點(diǎn)，克服MOSFET的缺點(diǎn)）等綜合優(yōu)點(diǎn)，因此IGBT發(fā)展很快，在開關(guān)頻率大于1KHz，功率大于5KW的應(yīng)用場合具有優(yōu)勢。隨著以 MOSFET、IGBT 為代表的電壓控制型器件的出現(xiàn)，電力電子技術(shù)便從低頻 迅速邁入了高頻電力電子階段，并使電力電子技術(shù)發(fā)展得更加豐富，同時(shí)為高效節(jié)能、省材 、新能源、自動化及智能化提供了新的機(jī)遇。
IGBT模塊是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
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