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西門(mén)康IGBTSEMIX453GB12E4s兩單元封裝,芯片使用SPT技術(shù),飽和壓降約為2.0伏左右,開(kāi)關(guān)損耗比NPT技術(shù)的IGBT模塊降低20%左右，西門(mén)康IGBTSEMIX453GB12E4s完全可以在逆變焊機(jī)中使用,西門(mén)康IGBTSEMIX453GB12E4s可以使用在315安到500安的電焊機(jī)中,.5千瓦以上的變頻器中等。
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