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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
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詳情介紹：
西門康IGBTSKIM609GAR12E4兩單元封裝,芯片使用SPT技術(shù),飽和壓降約為2.0伏左右,開關(guān)損耗比NPT技術(shù)的IGBT模塊降低20%左右，西門康IGBTSKIM609GAR12E4完全可以在逆變焊機(jī)中使用,西門康IGBTSKIM609GAR12E4可以使用在315安到500安的電焊機(jī)中,.5千瓦以上的變頻器中等。
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